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    产品中心
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    产品简介

    规格:0.5mm*114*114mm、1mm*114mm*114mm、0.635mm*120mm*120mm、1.5mm*120mm*120mm

    材料:

    型号:TC027

    适用:集成电路互连基板、光电通信、MCM、陶瓷载体、激光载体等领域

    电话:0755-29304991

    手机:189 2743 8086

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    产品介绍 产品参数

    氮化铝陶瓷是共价键化合物,属于六方晶系,纤锌矿型的晶体结构,呈白色或灰白色。氮化铝导热性好,热膨胀系数小,是良好的耐热冲击材料。具有优异的抗热震性。AlN的导热率是Al2O3的2~3倍,热压时强度比Al2O3还高。氮化铝陶瓷片对Al和其他熔融金属、砷化镓等具有良好的耐蚀性,尤其对熔融Al液具有极好的耐侵蚀性,还具有优良的电绝缘性和介电性质。但氮化铝的高温抗氧化性差,在大气中易吸潮、水解,和湿空气、水或含水液体接触产生热和氮并迅速分解。在2516℃分解,热硬度很高,即使在分解温度前也不软化变形。氮化铝和水在室温下也能缓慢地进行反应,而被水解。和干燥氧气在800℃以上进行反应。

    物理性质

    密度:3.26

    熔点:>2200 ℃(lit.)

    性状:powder

    溶解性:MAY DECOMPOSE

    化学性质

    室温强度高,且强度随温度的升高下降较慢。导热性好,热膨胀系数小,是良好的耐热冲击材料。具有优异的抗热震性。AlN的导热率是Al2O3的2~3倍,热压时强度比Al2O3还高。氮化铝对Al和其他熔融金属、砷化镓等具有良好的耐蚀性,尤其对熔融Al液具有极好的耐侵蚀性,还具有优良的电绝缘性和介电性质。但氮化铝的高温抗氧化性差,在大气中易吸潮、水解,和湿空气、水或含水液体接触产生热和氮并迅速分解。在2516℃分解,热硬度很高,即使在分解温度前也不软化变形。氮化铝和水在室温下也能缓慢地进行反应,而被水解。和干燥氧气在800℃以上进行反应。

    生产方法

    1.将氨和铝直接进行氮化反应,经粉碎、分级制得氮化铝粉末?;蛘呓趸梁吞砍浞只旌?在电炉中于1700℃还原制得氮化铝。

    2.将高纯度铝粉脱脂(用乙醚抽提或在氮气流中加热到150℃)后,放到镍盘中,将盘放在石英或瓷制反应管内,在提纯的氮气流中慢慢地进行加热。氮化反应在820℃左右时发出白光迅速地进行。此时,必须大量通氮以防止反应管内出现减压。这个激烈的反应完毕后,在氮气流中冷却。由于产物内包有金属铝,可将其粉碎,并在氮气流中于1100~1200℃温度下再加热1~2h,即得到灰白色氮化铝。

    另外,将铝在1200~1400℃下蒸发气化,使其与氮气反应即得到氮化铝的须状物(金属晶须)。此外,也有将AlCl3·NH3加成物进行热分解的制法。

    3.直接氮化法 将氮和铝直接进行氮化反应,经粉碎、分级制得。氮化铝产品质量受反应炉温、原料的预混合以及循环氮化铝粉末所占的混合比例、氮化铝比表面积等条件的影响。因此需严格控制工艺过程,得到稳定特性的氮化铝粉末(如比表面积、一次粒径、凝聚粒径、松密度和表面特性等)。

    储运条件

    干性的?;て逑麓χ?,保持贮藏器密封,放入紧密的贮藏器内,储存在阴凉,干燥的地方。

    产品用途

    1.氮化铝陶瓷是一种高技术新型陶瓷。氮化铝陶瓷基片具有极高的热导率,无毒、耐腐蚀、耐高温,热化学稳定性好等特点,是大规模集成电路,半导体??榈缏泛痛蠊β势骷睦硐敕庾安牧?、散热材料、电路元件及互连线承载体。也是提高高分子材料热导率和力学性能的最佳添加料,氮化铝陶瓷还可用作熔炼有色金属和半导体材料砷化镓的坩埚、热电偶的?;す?、高温绝缘件、微波介电材料、耐高温、耐腐蚀结构陶瓷及透明氮化铝微波陶瓷制品,用作高导热陶瓷生产原料及树脂填料等。氮化铝是电绝缘体,介电性能良好。砷化镓表面的氮化铝涂层,能?;に谕嘶鹗泵馐芾胱拥淖⑷?。

    2.用作高导热陶瓷生产原料、AlN陶瓷基片原料、树脂填料等。



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